O desenvolvimento no nó de classe de 12 nanômetros melhorou muito em comparação com seu antecessor.
No início do ano, a Samsung anunciou seu chip de memória padrão DDR5 de classe de 12 nanômetros, feito em um nó usando litografia EUV, que visava um sinal de clock efetivo de 7,2 GHz.
A gigante sul-coreana atingiu os parâmetros anunciados anteriormente e iniciou a produção em massa, o que colocou o chip de 16 gigabits em questão à disposição dos parceiros. Em comparação com o projeto da geração anterior, foi necessária 23% menos energia e a produtividade do wafer também foi aprimorada em 20%.
Source: Hírek és cikkek – PROHARDVER! by prohardver.hu.
*The article has been translated based on the content of Hírek és cikkek – PROHARDVER! by prohardver.hu. If there is any problem regarding the content, copyright, please leave a report below the article. We will try to process as quickly as possible to protect the rights of the author. Thank you very much!
*We just want readers to access information more quickly and easily with other multilingual content, instead of information only available in a certain language.
*We always respect the copyright of the content of the author and always include the original link of the source article.If the author disagrees, just leave the report below the article, the article will be edited or deleted at the request of the author. Thanks very much! Best regards!
